YIG Schichten

Einkristalline Yttrium-Eisen-Granat Schichten

Einkristalline ferrimagnetische Materialien wie Yttrium-Eisen-Granat (YIG) und dessen isovalent-substituierte Homologe werden aufgrund ihrer sehr geringen Mikrowellenverluste für Bauelemente in der Mikrowellentechnik eingesetzt.

 
 
 
YIG wafer, 3 Inch, 4µm

YIG Wafer, 3 Inch, 4µm

YIG wafer, 1 Inch, 24µm

Anwendung

Einkristalline ferrimagnetische Materialien wie Yttrium-Eisen-Granat (YIG) und dessen isovalent-substituierte Homologe werden aufgrund ihrer sehr geringen Mikrowellenverluste für Bauelemente in der Mikrowellentechnik eingesetzt. Epitaktische YIG-Schichten können beispielsweise für elektronisch-abstimmbare Verzögerungsleitungen und Phasenschieber verwendet werden, die Schichtdicken im Mikrometerbereich erfordern. Weitere Anwendungsfelder können integrierte nichtreziproke Bauelemente wie z.B. magnetooptische Isolatoren und Zirkulatoren sowie Braggzellen-Modulatoren für die Integrierte Optik sein.

Aktuell werden international Anstrengungen unternommen, um diese Isolatorschichten als ein vielversprechendes Basismaterial für Spinwellen-Bauelemente (YIG-Magnonik) mit Mikro- und Nanostrukturen (Nano-Magnonik) in der Informationsverarbeitung zu entwickeln und über geeignete Schnittstellen mit elektronischen bzw. spintronischen Elementen zu verknüpfen. Die Miniaturisierung dieser Bauelemente erfordert Schichtdicken im Submikrometerbereich. Epitaxie-Schichten werden mit der Flüssigphasenepitaxie-Technologie (LPE) aus Hochtemperaturlösungen und Einkristallen mittels der Einkristall-Züchtung hergestellt. Die LPE-Beschichtungstechnik ermöglicht es, epitaktische Yttrium-Eisen-Granat-Schichten sowohl im Mikrometer- als auch im Submikrometerbereich herzustellen und über geeignete Substitution maßgeschneiderte Funktionsschichten zu entwickeln.

Vorteile

LPE-Technologie gegenüber anderen Beschichtungsverfahren:

  • Realisierung von Schichtdicken zwischen 100 nm und 20 µm unter Beibehaltung einer hohen strukturellen Perfektion über die gesamte Schichtdicke
  • Ausbildung extrem glatter Oberflächen möglich

 

 Technische Daten & Spezifikationen:


YIG, Wafer Level 1" & 3"

• YIG auf GGG-Substrat: epitaxial gewachsener einkristalliner Yttriumeisengranat
• Dicken verfügbar: 100nm, 200nm, 1µm – 20µm
• Oberflächenrauheit (RMS): 0,5nm
• FMR-Linienbreite (FWHM): 2Oe bei 10GHz
• Dickenabweichung (80%, zentral):1%
• Polierung: einseitig beschichtet (beidseitig auf Anfrage möglich)
• GGG-Substratdicke: 0,5 ± 0,05mm
• Kristallographische Orientierung : (111)

Aktuelle Verfügbarkeit

Bestände als PDF (externer Link):

YIG Lagerbestand

 

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Produktinformationen:

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Datenblätter und Zusatzinformationen:

 

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